サムスンとIBMは新しいエネルギー効率の高いチップ設計に取り組んでいます

IBMとSamsungは協力して新しい半導体設計を作成しました。彼らは、トランジスタをチップ上に垂直に積み重ねる新しい方法を考え出したかもしれません。

サムスンとIBMが新しいエネルギー効率の高いチップ設計を発表

サムスンとIBMは、IEDM 2021の初日に共同プロジェクトを発表し、その後プレスリリースを発表しました。 両社は、新しい半導体設計を作成するために、研究を新たに進歩させたと述べています。

両社は、新しい種類のトランジスタの位置決めに取り組んでいます。 新しい設計では、トランジスタはチップ上に垂直に積み重ねられます。 現世代のプロセッサでは、トランジスタは半導体の表面に平らに置かれています。 このようにして、電気は一方の側からもう一方の側に流れます。

新しい設計は、垂直輸送電界効果トランジスタ（VTFET）と呼ばれます。 トランジスタは、電流が垂直に流れることができるように、VTFET設計で垂直に積み重ねられています。

両社は、新しい設計の潜在的な利点を強調しました。 この方法は、システムのエネルギー効率を大幅に改善するはずです。

「全体として、新しい設計は、スケーリングされたfinFETの代替品と比較して、パフォーマンスを2倍向上させるか、エネルギー使用量を85％削減することを目的としています。」

最も重要なことは、この新しい設計により、SamsungとIBMは、「暗号化操作やデータ暗号化などのエネルギー集約型プロセスでは、必要なエネルギーが大幅に少なくなり、二酸化炭素排出量が少なくなる可能性がある」と考えています。

両社はまた、プレスリリースでムーアの法則に言及しました。 ムーアの法則は、ICチップ内のトランジスタの数は約2年ごとに2倍になるという原則です。 その結果、チップが大きくなることなくパフォーマンスが向上します。

しかし、2つのメーカーが指摘しているように、エンジニアはスペースを使い果たしており、ムーアの法則の追求はますます困難になっています。 この新しいチップ設計は、ムーアの法則を将来に拡張する可能性があります。